近日，中国科研团队在氮化镓基绿光MiniLED芯片效率提升上取得突破性进展，成功解决了长期以来因“绿隙”问题导致的绿光MiniLED外量子效率偏低的技术难题。该成果被业内视为推动MiniLED，特别是绿光元件性能迈向新高度的关键一步，将显著增强MiniLED技术在高端显示市场的竞争力。 据悉，该研究团队通过创新性地优化了InGaN（铟镓氮）材料的量子阱结构设计与外延生长工艺，在降低缺陷密度、改善载流子注入均衡性以及增强光提取效率等多个核心层面实现了协同优化。具体技术路径包括采用新型应力管理技术缓解晶格失配，以及引入特殊的界面工程与载流子限制结构，从而有效抑制了效率下降，使得绿光MiniLED在典型工作电流下的外量子效率与光功率输出获得了显著提升。 绿光作为RGB三基色的关键一环，其发光效率直接影响到全彩显示器的色彩还原度、亮度和整体能效。此前，绿光MiniLED的效率短板在一定程度上制约了MiniLED显示技术在高端电视、专业监视器、增强/虚拟现实（AR/VR）设备等对画质要求极致领域的渗透速度。随着绿光等关键技术节点的持续突破，中国MiniLED产业正逐步构建起从芯片、封装到应用的全链条核心竞争力，有望在全球下一代显示技术竞争中实现“弯道超车”。 针对这一行业性突破，晶瀚光电已密切关注相关技术进展，并将持续加大在新型显示核心技术与先进封装领域的研发投入，以巩固并扩大其在高端显示产业链中的技术优势。
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